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IRF130EAPBF
晶体管 > 功率场效应晶体管

IRF130EAPBF

International Rectifier
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Transferred
风险等级:
7.37
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Transferred
Objectid 2077744007
包装说明 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.29.00.95
风险等级 7.37
雪崩能效等级(Eas) 75 mJ
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 100 V
最大漏极电流 (ID) 14 A
最大漏源导通电阻 0.21 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-204AA
JESD-30 代码 O-MBFM-P2
元件数量 1
端子数量 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 METAL
封装形状 ROUND
封装形式 FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) 260
极性/信道类型 N-CHANNEL
功耗环境最大值 75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 56 A
认证状态 Not Qualified
参考标准 CECC
表面贴装 NO
端子形式 PIN/PEG
端子位置 BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 40
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
最大关闭时间(toff) 105 ns
最大开启时间(吨) 115 ns
参数规格与技术文档
International Rectifier
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