参数名称 | 参数值 |
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Source Content uid | INA148QDRQ1 |
Brand Name | Texas Instruments |
是否无铅 | ![]() |
是否Rohs认证 | ![]() |
生命周期 | Active |
Objectid | 2141638769 |
零件包装代码 | SOIC |
包装说明 | GREEN, PLASTIC, MS-012AA, SOIC-8 |
针数 | 8 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8542.33.00.01 |
风险等级 | 1.77 |
Samacsys Description | Automotive +-200V Common-Mode Voltage Difference Amplifier |
Samacsys Manufacturer | Texas Instruments |
Samacsys Modified On | 2024-11-15 13:35:08 |
放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
最小共模抑制比 | 70 dB |
标称共模抑制比 | 86 dB |
频率补偿 | YES |
最大输入失调电压 | 5000 µV |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码 | e4 |
长度 | 4.9 mm |
低-失调 | NO |
微功率 | YES |
湿度敏感等级 | 3 |
负供电电压上限 | -18 V |
标称负供电电压 (Vsup) | -5 V |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 8 |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | SOP |
封装等效代码 | SOP8,.25 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
包装方法 | TR |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
功率 | NO |
可编程功率 | NO |
认证状态 | Not Qualified |
筛选级别 | AEC-Q100 |
座面最大高度 | 1.75 mm |
标称压摆率 | 1 V/us |
最大压摆率 | 0.3 mA |
供电电压上限 | 18 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | BIPOLAR |
温度等级 | AUTOMOTIVE |
端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
标称均一增益带宽 | 100 kHz |
最大电压增益 | 1 |
最小电压增益 | 1 |
标称电压增益 | 1 |
宽带 | NO |
宽度 | 3.9 mm |