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HMA451S6AFR8N-TF
存储 > DRAM

HMA451S6AFR8N-TF

SK Hynix Inc
DDR DRAM Module, 512MX64, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-260
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Active
风险等级:
7.66
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 8077733548
包装说明 ROHS COMPLIANT, SODIMM-260
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.36
风险等级 7.66
YTEOL 2
访问模式 SINGLE BANK PAGE BURST
其他特性 AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX
JESD-30 代码 R-XDMA-N260
长度 69.6 mm
内存密度 34359738368 bit
内存集成电路类型 DDR DRAM MODULE
内存宽度 64
功能数量 1
端口数量 1
端子数量 260
字数 536870912 words
字数代码 512000000
工作模式 SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C
最低工作温度
组织 512MX64
封装主体材料 UNSPECIFIED
封装代码 DIMM
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度) 260
座面最大高度 30.13 mm
自我刷新 YES
最大供电电压 (Vsup) 1.26 V
最小供电电压 (Vsup) 1.14 V
标称供电电压 (Vsup) 1.2 V
表面贴装 NO
技术 CMOS
温度等级 OTHER
端子形式 NO LEAD
端子节距 0.5 mm
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 20
宽度 3.59 mm
参数规格与技术文档
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