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GS832118AD-250VT
存储 > SRAM

GS832118AD-250VT

GSI Technology
Cache SRAM, 2MX18, 5.5ns, CMOS, PBGA165, FPBGA-165
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Active
风险等级:
7.43
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Active
Objectid 1038476093
零件包装代码 BGA
包装说明 LBGA,
针数 165
Reach Compliance Code compliant
Country Of Origin Taiwan
ECCN代码 3A991.B.2.A
HTS代码 8542.32.00.41
风险等级 7.43
YTEOL 7
最长访问时间 5.5 ns
其他特性 PIPELINE OR FLOW THROUGH ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5 SUPPLY
JESD-30 代码 R-PBGA-B165
长度 15 mm
内存密度 37748736 bit
内存集成电路类型 CACHE SRAM
内存宽度 18
功能数量 1
端子数量 165
字数 2097152 words
字数代码 2000000
工作模式 SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C
最低工作温度
组织 2MX18
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 LBGA
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行 PARALLEL
认证状态 Not Qualified
座面最大高度 1.4 mm
最大供电电压 (Vsup) 2 V
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 OTHER
端子形式 BALL
端子节距 1 mm
端子位置 BOTTOM
宽度 13 mm
参数规格与技术文档
GSI Technology
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