对比 | 型号 | 厂商 | 描述 | 生命周期 | 风险等级 | ||
---|---|---|---|---|---|---|---|
FQP50N06 | 功率场效应晶体管 | onsemi | Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 60 V, 50 A, 22 mΩ, TO-220, 1000-TUBE | End Of Life | 设计 产品 长期 |
||
PMPB27EP,115 | Nexperia | MOSFET/FET,30 V, single P-channel Trench MOSFET | |
||||
FQP50N06 | 功率场效应晶体管 | Fairchild Semiconductor Corporation | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | Transferred | 设计 产品 长期 |