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FLM6472-6F
晶体管 > 射频场效应晶体管

FLM6472-6F

SUMITOMO ELECTRIC Industries Ltd
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, CASE IB, 2 PIN
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Active
风险等级:
7.06
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
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详细参数
参数名称 参数值
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 1816509160
包装说明 FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数 2
制造商包装代码 CASE IB
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 7.06
YTEOL 6.85
其他特性 HIGH RELIABILITY
外壳连接 SOURCE
配置 SINGLE
最小漏源击穿电压 15 V
最大漏极电流 (ID) 1.9 A
FET 技术 JUNCTION
最高频带 C BAND
JESD-30 代码 R-CDFM-F2
元件数量 1
端子数量 2
工作模式 DEPLETION MODE
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子形式 FLAT
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 AMPLIFIER
晶体管元件材料 GALLIUM ARSENIDE
参数规格与技术文档
SUMITOMO ELECTRIC Industries Ltd
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