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FGB40N6S2L86Z
晶体管 > IGBT

FGB40N6S2L86Z

Fairchild Semiconductor Corporation
Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.33
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid FGB40N6S2L86Z
生命周期 Obsolete
Objectid 1908094366
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 9.33
YTEOL 0
其他特性 LOW CONDUCTION LOSS
最大集电极电流 (IC) 75 A
集电极-发射极最大电压 600 V
配置 SINGLE
JEDEC-95代码 TO-263AB
JESD-30 代码 R-PSSO-G2
元件数量 1
端子数量 2
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
晶体管应用 POWER CONTROL
晶体管元件材料 SILICON
标称断开时间 (toff) 153 ns
标称接通时间 (ton) 32 ns
参数规格与技术文档
Fairchild Semiconductor Corporation
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