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FDZ1827NZ

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Small Signal Field-Effect Transistor, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

数据手册:

ECAD 模型:

市场均价:

市场总库存:

生命周期状态:

Active

风险等级:

7.19

风险等级:

设计

产品

长期

参数规格

详细参数

参数名称	参数值
Source Content uid	FDZ1827NZ
是否Rohs认证	符合
生命周期	Active
Objectid	4001117185
包装说明	2.30 X 1.30 MM, 0.35 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, ULTRA THIN, WL-CSP-6
Reach Compliance Code	compliant
Country Of Origin	Philippines
ECCN代码	EAR99
Factory Lead Time	4 weeks
风险等级	7.19
YTEOL	5.35
配置	COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)	380 pF
JESD-30 代码	R-PBGA-B6
湿度敏感等级	1
元件数量	2
端子数量	6
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	N-CHANNEL
表面贴装	YES
端子形式	BALL
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	30
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

参数规格与技术文档

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