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FDS6975_NF073

Fairchild Semiconductor Corporation

Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 0.032ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, SO-8

数据手册:

ECAD 模型:

市场均价:

市场总库存:

生命周期状态:

Obsolete

风险等级:

9.54

风险等级:

设计

产品

长期

参数规格

详细参数

参数名称	参数值
Source Content uid	FDS6975_NF073
是否Rohs认证	符合
生命周期	Obsolete
Objectid	1667869223
零件包装代码	SOT
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数	8
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
风险等级	9.54
YTEOL	0
其他特性	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	30 V
最大漏极电流 (ID)	6 A
最大漏源导通电阻	0.032 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PDSO-G8
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	2
端子数量	8
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	20 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	MATTE TIN
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

参数规格与技术文档

Fairchild Semiconductor Corporation