参数名称 | 参数值 |
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Source Content uid | FDMS3016DC |
Brand Name | onsemi |
是否无铅 | ![]() |
生命周期 | Obsolete |
Objectid | 4001118513 |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 |
制造商包装代码 | 483BK |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
风险等级 | 7.44 |
Samacsys Description | OBSOLETE FDMS3016DC N-Channel MOSFET, 49 A, 78 A, 30 V PowerTrench, 8-Pin Power 56 ON Semiconductor |
Samacsys Manufacturer | onsemi |
Samacsys Modified On | 2024-02-23 15:43:24 |
YTEOL | 0 |
其他特性 | ULTRA LOW RESISTANCE |
雪崩能效等级(Eas) | 72 mJ |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 30 V |
最大漏极电流 (ID) | 18 A |
最大漏源导通电阻 | 0.006 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | MO-240AA |
JESD-30 代码 | R-PDSO-F5 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 5 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 60 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 200 A |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Tin (Sn) |
端子形式 | FLAT |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |