晶体管 > 功率场效应晶体管

ELM35603KA-S

ELM Technology Corp

Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 40V, 0.022ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, 5/4 PIN

数据手册:

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风险等级:

8.48

风险等级:

设计

产品

长期

参数规格

详细参数

参数名称	参数值
生命周期	Contact Manufacturer
Objectid	1290916291
零件包装代码	SFM
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4
针数	5/4
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
风险等级	8.48
外壳连接	DRAIN
配置	COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	40 V
最大漏极电流 (ID)	10 A
最大漏源导通电阻	0.022 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PSSO-G4
元件数量	2
端子数量	4
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	50 A
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
晶体管元件材料	SILICON

参数规格与技术文档

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