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DTD143EST116
晶体管 > 小信号双极晶体管

DTD143EST116

ROHM Semiconductor
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Active
风险等级:
7.59
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 1483282941
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
风险等级 7.59
YTEOL 7
其他特性 DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC) 0.5 A
集电极-发射极最大电压 50 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 47
JESD-30 代码 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e1
元件数量 1
端子数量 3
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 NPN
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子面层 TIN SILVER COPPER
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
标称过渡频率 (fT) 200 MHz
参数规格与技术文档
ROHM Semiconductor
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