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DMS3014SFGQ-13
晶体管 > 功率场效应晶体管

DMS3014SFGQ-13

Small Signal Field-Effect Transistor,
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥45.3550
市场总库存:
2,455
生命周期状态:
Active
风险等级:
7.55
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 8310989675
包装说明 POWERDI3333-8
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.29.00.95
Factory Lead Time 8 weeks
风险等级 7.55
Samacsys Manufacturer Diodes Incorporated
Samacsys Modified On 2024-03-18 13:06:02
YTEOL 5.1
其他特性 AVALANCHE ENERGY RATED
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 30 V
最大漏极电流 (ID) 9.5 A
最大漏源导通电阻 15.5 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 120 pF
JESD-30 代码 S-PDSO-N5
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 5
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
最低工作温度 -55 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 SQUARE
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260
极性/信道类型 N-CHANNEL
功耗环境最大值 2.1 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 80 A
参考标准 AEC-Q101
表面贴装 YES
端子面层 MATTE TIN
端子形式 NO LEAD
端子位置 DUAL
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
Diodes Incorporated
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