参数名称 | 参数值 |
---|---|
是否Rohs认证 | ![]() |
生命周期 | Active |
Objectid | 8310989675 |
包装说明 | POWERDI3333-8 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8541.29.00.95 |
Factory Lead Time | 8 weeks |
风险等级 | 7.55 |
Samacsys Manufacturer | Diodes Incorporated |
Samacsys Modified On | 2024-03-18 13:06:02 |
YTEOL | 5.1 |
其他特性 | AVALANCHE ENERGY RATED |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 30 V |
最大漏极电流 (ID) | 9.5 A |
最大漏源导通电阻 | 15.5 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss) | 120 pF |
JESD-30 代码 | S-PDSO-N5 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 5 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
功耗环境最大值 | 2.1 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 80 A |
参考标准 | AEC-Q101 |
表面贴装 | YES |
端子面层 | MATTE TIN |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | DUAL |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |