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| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| 是否Rohs认证 |  符合 |
| 生命周期 | Active |
| Objectid | 8308564754 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8541.10.00.50 |
| Date Of Intro | 2018-01-31 |
| 风险等级 | 7.73 |
| YTEOL | 6.1 |
| 最大击穿电压 | 66.3 V |
| 最小击穿电压 | 60 V |
| 击穿电压标称值 | 63.15 V |
| 最大钳位电压 | 87.1 V |
| 配置 | SINGLE |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 二极管类型 | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-F2 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散 | 200 W |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 最低工作温度 | -65 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 极性 | UNIDIRECTIONAL |
| 最大重复峰值反向电压 | 54 V |
| 最大反向电流 | 1 µA |
| 反向测试电压 | 54 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | AVALANCHE |
| 端子面层 | MATTE TIN OVER NICKEL |
| 端子形式 | FLAT |
| 端子位置 | DUAL |
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苏公网安备 32059002001873号