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| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| 是否Rohs认证 |  符合 |
| 生命周期 | Active |
| Objectid | 145154614580 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Date Of Intro | 2020-04-09 |
| 风险等级 | 7.64 |
| YTEOL | 6.7 |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 1200 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 17 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.208 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss) | 3 pF |
| JEDEC-95代码 | TO-263 |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G7 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 7 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 90 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 34 A |
| 参考标准 | IEC-60747-8-4 |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON CARBIDE |
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