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BZT52C62S

MDD 辰达行

MDD 辰达行
Nextgen Components
Taiwan Semiconductor

齐纳电压 Zener voltage: 62, 齐纳电压 Zener voltageIZ: 2, 动态阻抗 Dynamic resista: 215, 最大反向漏电流Maximum rever: 0, 最大反向漏电流VR(V): 47

数据手册:

下载: BZT52C62S

ECAD 模型:

市场均价:

-

市场总库存:

-

生命周期状态:

Active

风险等级:

-

风险等级:

N/A

暂无风险等级信息

参数规格设计资源同型号不同厂商

参数规格

详细参数

参数名称	参数值
齐纳电压 Zener voltage	62
齐纳电压 Zener voltageIZ	2
动态阻抗 Dynamic resista	215
最大反向漏电流Maximum rever	0
最大反向漏电流VR(V)	47
最大反向电流IZM(mA)	47
功率PD(mW)	200
封装形式_BD	SOD-323
-	齐纳
-_1	齐纳二极管
生命周期	Active
Country Of Origin	Mainland China

参数规格与技术文档

全部

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技术文档

下载: BZT52C62S

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