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| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| 是否Rohs认证 |  符合 |
| 生命周期 | Active |
| Objectid | 145479477362 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| 风险等级 | 2.33 |
| YTEOL | 6.1 |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 1 MHz |
| 数据保留时间-最小值 | 50 |
| 耐久性 | 4000000 Write/Erase Cycles |
| I2C控制字节 | 1010DDDR |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
| 长度 | 4.9 mm |
| 内存密度 | 2048 bit |
| 内存集成电路类型 | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 字数 | 256 words |
| 字数代码 | 256 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 256X8 |
| 输出特性 | OPEN-DRAIN |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | LSOP |
| 封装等效代码 | SOP8,.25 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, LOW PROFILE |
| 并行/串行 | SERIAL |
| 编程电压 | 2.5 V |
| 筛选级别 | AEC-Q100 |
| 座面最大高度 | 1.65 mm |
| 串行总线类型 | I2C |
| 最大待机电流 | 0.00001 A |
| 最大压摆率 | 0.002 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 宽度 | 3.9 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 3.5 ms |
| 写保护 | HARDWARE |
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苏公网安备 32059002001873号