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BD132
晶体管 > 功率双极晶体管

BD132

3A, 45V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126, PLASTIC PACKAGE-3
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.29
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid BD132
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Obsolete
Objectid 1438859207
零件包装代码 SIP
包装说明 PLASTIC PACKAGE-3
针数 3
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.29.00.75
风险等级 9.29
YTEOL 0
外壳连接 COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 3 A
集电极-发射极最大电压 45 V
配置 SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 20
JEDEC-95代码 TO-126
JESD-30 代码 R-PSFM-T3
元件数量 1
端子数量 3
最高工作温度 150 °C
最低工作温度 -65 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
极性/信道类型 PNP
功耗环境最大值 15 W
最大功率耗散 (Abs) 15 W
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
晶体管元件材料 SILICON
标称过渡频率 (fT) 60 MHz
VCEsat-Max 0.7 V
参数规格与技术文档
NXP Semiconductors
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