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BCP69-16E6327
晶体管 > 功率双极晶体管

BCP69-16E6327

Infineon Technologies AG
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.15
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid BCP69-16E6327
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Obsolete
Objectid 1537693106
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代码 EAR99
风险等级 9.15
YTEOL 0
外壳连接 COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 1 A
集电极-发射极最大电压 20 V
配置 SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 100
JESD-30 代码 R-PSSO-G3
JESD-609代码 e0
元件数量 1
端子数量 3
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 235
极性/信道类型 PNP
最大功率耗散 (Abs) 1.5 W
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子面层 TIN LEAD
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
晶体管应用 AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON
标称过渡频率 (fT) 100 MHz
参数规格与技术文档
Infineon Technologies AG
Infineon Technologies AG
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