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BCP53E6433
晶体管 > 小信号双极晶体管

BCP53E6433

Infineon Technologies AG
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Active
风险等级:
7.41
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid BCP53E6433
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Active
Objectid 1537685314
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代码 EAR99
风险等级 7.41
YTEOL 7
外壳连接 COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 1 A
集电极-发射极最大电压 80 V
配置 SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 40
JESD-30 代码 R-PDSO-G4
JESD-609代码 e0
元件数量 1
端子数量 4
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 PNP
最大功率耗散 (Abs) 1.5 W
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子面层 TIN LEAD
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
标称过渡频率 (fT) 125 MHz
参数规格与技术文档
Infineon Technologies AG
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