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AUIRG4PH50S

Infineon Technologies AG

Insulated Gate Bipolar Transistor, 57A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

数据手册:

ECAD 模型:

市场均价:

￥48.6694

市场总库存:

2,296

生命周期状态:

End Of Life

风险等级:

7.15

风险等级:

高

设计

产品

长期

参数规格

详细参数

参数名称	参数值
Source Content uid	AUIRG4PH50S
是否Rohs认证	符合
生命周期	End Of Life
Objectid	8006003407
包装说明	ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
风险等级	7.15
Samacsys Description	Infineon AUIRG4PH50S IGBT, 57 A 1200 V, 3-Pin TO-247AC
Samacsys Manufacturer	Infineon
Samacsys Modified On	2023-03-07 16:10:32
外壳连接	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	57 A
集电极-发射极最大电压	1200 V
配置	SINGLE
最大降落时间（tf）	638 ns
门极发射器阈值电压最大值	6 V
门极-发射极最大电压	20 V
JEDEC-95代码	TO-247AC
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	200 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料	SILICON
标称断开时间 (toff)	2170 ns
标称接通时间 (ton)	62 ns

参数规格与技术文档

全部

Infineon Technologies AG