参数名称 | 参数值 |
---|---|
是否Rohs认证 | 不符合 |
生命周期 | Obsolete |
Objectid | 1440252528 |
零件包装代码 | DIP |
包装说明 | DIP, DIP32,.6 |
针数 | 32 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | 3A001.A.2.C |
HTS代码 | 8542.32.00.51 |
风险等级 | 9.05 |
YTEOL | 0 |
最长访问时间 | 200 ns |
其他特性 | AUTOMATIC WRITE |
命令用户界面 | NO |
数据轮询 | YES |
数据保留时间-最小值 | 10 |
耐久性 | 10000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码 | R-CDIP-T32 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 40.64 mm |
内存密度 | 4194304 bit |
内存集成电路类型 | EEPROM |
内存宽度 | 8 |
湿度敏感等级 | 1 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 32 |
字数 | 524288 words |
字数代码 | 512000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
组织 | 512KX8 |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP32,.6 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
页面大小 | 256 words |
并行/串行 | PARALLEL |
编程电压 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 4.06 mm |
最大待机电流 | 0.003 A |
最大压摆率 | 0.08 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
切换位 | YES |
宽度 | 15.24 mm |
最长写入周期时间 (tWC) | 10 ms |