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AM29LV256ML11RFIN
存储 > EEPROM

AM29LV256ML11RFIN

Spansion
EEPROM Card, 16MX16, 110ns, Parallel, CMOS, PDSO56,
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.62
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否无铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Obsolete
Objectid 1126065419
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代码 3A991.B.1.B.1
HTS代码 8542.32.00.51
风险等级 9.62
YTEOL 0
最长访问时间 110 ns
备用内存宽度 8
命令用户界面 YES
通用闪存接口 YES
数据轮询 YES
JESD-30 代码 R-PDSO-G56
JESD-609代码 e0
内存密度 268435456 bit
内存集成电路类型 EEPROM CARD
内存宽度 16
湿度敏感等级 3
部门数/规模 512
端子数量 56
字数 16777216 words
字数代码 16000000
最高工作温度 85 °C
最低工作温度 -40 °C
组织 16MX16
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSSOP
封装等效代码 TSSOP56,.8,20
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
页面大小 4/8 words
并行/串行 PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 260
编程电压 2.7 V
认证状态 Not Qualified
就绪/忙碌 YES
反向引出线 YES
部门规模 64K
最大待机电流 0.000005 A
最大压摆率 0.08 mA
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 INDUSTRIAL
端子面层 TIN LEAD
端子形式 GULL WING
端子节距 0.5 mm
端子位置 DUAL
切换位 YES
类型 NOR TYPE
参数规格与技术文档
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