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5KMC12AS_R1_00001
二极管 > 瞬态抑制器

5KMC12AS_R1_00001

PanJit Semiconductor
Trans Voltage Suppressor Diode,
市场均价:
-
市场总库存:
8,000
生命周期状态:
Active
风险等级:
7.7
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 145294910536
Reach Compliance Code not_compliant
风险等级 7.7
YTEOL 7.51
最大击穿电压 14.7 V
最小击穿电压 13.3 V
击穿电压标称值 14 V
最大钳位电压 19.9 V
配置 SINGLE
二极管元件材料 SILICON
二极管类型 TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码 R-PDSO-C2
最大非重复峰值反向功率耗散 5000 W
元件数量 1
端子数量 2
最高工作温度 150 °C
最低工作温度 -55 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性 UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散 6.5 W
参考标准 IEC-61000-4-2; IEC-61249; MIL-STD-750
最大重复峰值反向电压 12 V
最大反向电流 5 µA
反向测试电压 12 V
表面贴装 YES
技术 AVALANCHE
端子形式 C BEND
端子位置 DUAL
参数规格与技术文档
PanJit Semiconductor
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