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| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| 是否Rohs认证 |  符合 |
| 生命周期 | Active |
| Objectid | 145561397917 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| 风险等级 | 7.74 |
| YTEOL | 7.51 |
| 其他特性 | MIL-STD-750 |
| 最大击穿电压 | 14.7 V |
| 最小击穿电压 | 13.3 V |
| 击穿电压标称值 | 14 V |
| 最大钳位电压 | 19.9 V |
| 配置 | SINGLE |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 二极管类型 | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-C2 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散 | 5000 W |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 极性 | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散 | 6.5 W |
| 参考标准 | AEC-Q101; IEC-61000-4-2; IEC-61249; ISO 7637-2 |
| 最大重复峰值反向电压 | 12 V |
| 最大反向电流 | 5 µA |
| 反向测试电压 | 12 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | AVALANCHE |
| 端子形式 | C BEND |
| 端子位置 | DUAL |
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苏公网安备 32059002001873号