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| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| 是否Rohs认证 |  不符合 |
| 生命周期 | Active |
| Objectid | 1822919966 |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | CERAMIC, DIP-20 |
| 针数 | 20 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| Country Of Origin | USA |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
| 风险等级 | 7.04 |
| YTEOL | 4.5 |
| 其他特性 | TYP VOLP < 1V @ VCC = 5V, TA = 25 DEG C |
| 控制类型 | ENABLE LOW |
| 系列 | ABT |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T20 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 24.195 mm |
| 负载电容（CL） | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | BUS DRIVER |
| 最大I（ol） | 0.048 A |
| 位数 | 4 |
| 功能数量 | 2 |
| 端口数量 | 2 |
| 端子数量 | 20 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 输出极性 | INVERTED |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP20,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| Prop。Delay @ Nom-Sup | 5.5 ns |
| 传播延迟（tpd） | 5.5 ns |
| 认证状态 | Qualified |
| 筛选级别 | MIL-STD-883 |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | BICMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 宽度 | 7.62 mm |
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苏公网安备 32059002001873号