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| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Source Content uid | 54LS266DM |
| 是否Rohs认证 |  不符合 |
| 生命周期 | Obsolete |
| Objectid | 1436005579 |
| 包装说明 | DIP, DIP14,.3 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
| 风险等级 | 9.77 |
| YTEOL | 0 |
| JESD-30 代码 | R-XDIP-T14 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 逻辑集成电路类型 | XNOR GATE |
| 端子数量 | 14 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 输出特性 | OPEN-COLLECTOR |
| 封装主体材料 | CERAMIC |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP14,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 施密特触发器 | NO |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | TTL |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
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苏公网安备 32059002001873号