参数名称 | 参数值 |
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Source Content uid | 54ABT652WQML |
是否Rohs认证 | 不符合 |
生命周期 | Obsolete |
Objectid | 1427317670 |
包装说明 | DFP, |
Reach Compliance Code | unknown |
风险等级 | 9.78 |
YTEOL | 0 |
其他特性 | WITH INDEPENDENT OUTPUT ENABLE FOR EACH DIRECTION |
系列 | ABT |
JESD-30 代码 | R-GDFP-F24 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 15.113 mm |
负载电容(CL) | 50 pF |
逻辑集成电路类型 | REGISTERED BUS TRANSCEIVER |
位数 | 8 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 2 |
端子数量 | 24 |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
输出特性 | 3-STATE |
输出极性 | TRUE |
封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
封装代码 | DFP |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLATPACK |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
最大电源电流(ICC) | 30 mA |
传播延迟(tpd) | 8.4 ns |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 2.54 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | BICMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | FLAT |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |