参数名称 | 参数值 |
---|---|
是否Rohs认证 | 不符合 |
生命周期 | Obsolete |
Objectid | 1449091390 |
Reach Compliance Code | unknown |
风险等级 | 9.69 |
YTEOL | 0 |
最长访问时间 | 120 ns |
JESD-30 代码 | R-GDIP-T20 |
JESD-609代码 | e0 |
内存密度 | 131072 bit |
内存集成电路类型 | OTP ROM |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 20 |
字数 | 256 words |
字数代码 | 16000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
组织 | 16KX8 |
封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP20,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
并行/串行 | PARALLEL |
认证状态 | Not Qualified |
筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B |
最大压摆率 | 0.155 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.25 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.75 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |