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2SK3163-E
晶体管 > 功率场效应晶体管

2SK3163-E

Renesas Electronics Corporation
Nch Single Power Mosfet 60V 75A 7.5Mohm To-3P, TO-3P, /Tube
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Not Recommended
风险等级:
8.39
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid 2SK3163-E
Brand Name Renesas
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Not Recommended
Objectid 1818614037
零件包装代码 TO-3P
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数 4
制造商包装代码 PRSS0004ZE
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
Date Of Intro 1998-12-18
风险等级 8.39
Samacsys Description The 2SK3163 is a Nch Single Power Mosfet 60V 75A 7.5Mohm To-3P.
Samacsys Manufacturer Renesas Electronics
Samacsys Modified On 2023-10-24 19:30:29
YTEOL 3
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 60 V
最大漏极电流 (ID) 75 A
最大漏源导通电阻 0.012 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e2
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 110 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 300 A
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子面层 TIN COPPER
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
Renesas Electronics Corporation
Renesas Electronics Corporation
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