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| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| 生命周期 | Contact Manufacturer |
| Objectid | 113635932 |
| 包装说明 | CYLINDRICAL, O-XBCY-T3 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8541.21.00.95 |
| 风险等级 | 8.49 |
| 配置 | SINGLE |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss) | 1.5 pF |
| JESD-30 代码 | O-XBCY-T3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值 | 0.45 W |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.45 W |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
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苏公网安备 32059002001873号