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| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Source Content uid | 2SK211YTE85L |
| 是否无铅 |  含铅 |
| 是否Rohs认证 |  不符合 |
| 生命周期 | Lifetime Buy |
| Objectid | 1407840304 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 风险等级 | 8.69 |
| 配置 | SINGLE |
| FET 技术 | JUNCTION |
| 最大反馈电容 (Crss) | 0.15 pF |
| 最高频带 | VERY HIGH FREQUENCY BAND |
| JEDEC-95代码 | TO-236 |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 240 |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
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苏公网安备 32059002001873号