参数名称 | 参数值 |
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Source Content uid | 2SJ655 |
是否Rohs认证 | 符合 |
生命周期 | Obsolete |
Objectid | 113300163 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
Factory Lead Time | 4 weeks |
风险等级 | 9.57 |
YTEOL | 0 |
配置 | SINGLE |
最大漏极电流 (ID) | 12 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
元件数量 | 1 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
极性/信道类型 | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 25 W |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin/Copper/Silver/Nickel (Sn/Cu/Ag/Ni) |