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| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| 生命周期 | Obsolete |
| Objectid | 1535373746 |
| 包装说明 | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 风险等级 | 9.49 |
| YTEOL | 0 |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 6 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 6 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.22 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 极性/信道类型 | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 20 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 子类别 | Other Transistors |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
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苏公网安备 32059002001873号