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2SJ550(S)-(2)
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2SJ550(S)-(2)

Renesas Electronics Corporation
TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,60V V(BR)DSS,15A I(D),TO-263AB
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Active
风险等级:
7.4
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
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详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid 2SJ550(S)-(2)
生命周期 Active
Objectid 110425003
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
风险等级 7.4
配置 SINGLE
最大漏极电流 (ID) 15 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
元件数量 1
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
极性/信道类型 P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 50 W
表面贴装 YES
参数规格与技术文档
Renesas Electronics Corporation
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