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2SJ472-01S
晶体管 > 功率场效应晶体管

2SJ472-01S

Fuji Electric Co Ltd
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.85ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, KPACK-3
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.49
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Obsolete
Objectid 1447889251
零件包装代码 TO-252
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数 3
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.29.00.95
风险等级 9.49
YTEOL 0
其他特性 LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE
最小漏源击穿电压 30 V
最大漏极电流 (ID) 5 A
最大漏源导通电阻 0.85 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSSO-G2
元件数量 1
端子数量 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 P-CHANNEL
功耗环境最大值 15 W
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
晶体管元件材料 SILICON
最大关闭时间(toff) 70 ns
最大开启时间(吨) 45 ns
参数规格与技术文档
Fuji Electric Co Ltd
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