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2SJ361RYTL
晶体管 > 功率场效应晶体管

2SJ361RYTL

Hitachi Ltd
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Transferred
风险等级:
7.56
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Transferred
Objectid 1440582715
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 7.56
配置 SINGLE
最小漏源击穿电压 20 V
最大漏极电流 (ID) 2 A
最大漏源导通电阻 1.5 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSSO-F3
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 P-CHANNEL
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子形式 FLAT
端子位置 SINGLE
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
Hitachi Ltd
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