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| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| 是否Rohs认证 |  符合 |
| 生命周期 | Active |
| Objectid | 8329544981 |
| 零件包装代码 | SOT-89 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| Country Of Origin | Mainland China |
| ECCN代码 | EAR99 |
| YTEOL | 7 |
| 最大集电极电流 (IC) | 2 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 32 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 82 |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-F3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | FLAT |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 100 MHz |
| 类别 | Diodes |
| 极性 | NPN |
| V(BR)CEO (V) min. | 32 |
| IC (A) | 2 |
| hFE min | 82 |
| hFE max | 390 |
| Condition1_VCE (V) | 3 |
| Condition1_IC (mA) | 500 |
| VCE (sat) (V) | 0.8 |
| Condition2_IC (mA) | 2000 |
| Condition2_IB (mA) | 200 |
| fT (MHz) min. | 100(typ) |
| PD (W) max. | 0.5 |
| AEC Qualified | No |
| 最高工作温度 | 150 |
| 最低工作温度 | -55 |
| MSL等级 | 3 |
| 生命周期 | Active |
| 是否无铅 | Yes |
| 符合Reach | Yes |
| 符合RoHS | Yes |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Package Outlines | SOT-89 |
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苏公网安备 32059002001873号