参数名称 | 参数值 |
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是否Rohs认证 | 符合 |
生命周期 | Active |
Objectid | 145154609492 |
包装说明 | ITO-220AB, 3 PIN |
Reach Compliance Code | unknown |
Country Of Origin | Mainland China |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8541.29.00.75 |
风险等级 | 7.58 |
YTEOL | 4 |
外壳连接 | ISOLATED |
最大集电极电流 (IC) | 1 A |
基于收集器的最大容量 | 20 pF |
集电极-发射极最大电压 | 230 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 100 |
JEDEC-95代码 | TO-220AB |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | NPN |
功耗环境最大值 | 2 W |
最大功率耗散 (Abs) | 2 W |
参考标准 | MIL-STD-202 |
表面贴装 | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 100 MHz |
VCEsat-Max | 1.5 V |
类别 | Diodes |
极性 | NPN |
V(BR)CEO (V) min. | 230 |
IC (A) | 1 |
hFE min | 100 |
hFE max | 320 |
Condition1_VCE (V) | 5 |
Condition1_IC (mA) | 100 |
VCE (sat) (V) | 1.5 |
Condition2_IC (mA) | 500 |
Condition2_IB (mA) | 50 |
fT (MHz) min. | 100(typ) |
PD (W) max. | 2 |
AEC Qualified | No |
最高工作温度 | 150 |
最低工作温度 | -55 |
MSL等级 | / |
生命周期 | Active |
是否无铅 | Yes |
符合Reach | Yes |
符合RoHS | Yes |
ECCN代码 | EAR99 |
Package Outlines | ITO-220AB |