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2SC4115
二极管 > BJT

2SC4115

Galaxy Microelectronics
20V,3A,General Purpose NPN Bipolar Transistor, Diodes, NPN, 20V, 3A, 120, 560, 2V
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Active
风险等级:
7.45
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Active
Objectid 8328332925
零件包装代码 SOT-89
Reach Compliance Code unknown
Country Of Origin Mainland China
ECCN代码 EAR99
风险等级 7.45
YTEOL 7
外壳连接 COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 3 A
集电极-发射极最大电压 20 V
配置 SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 120
JESD-30 代码 R-PSSO-F3
元件数量 1
端子数量 3
最高工作温度 150 °C
最低工作温度 -55 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 NPN
表面贴装 YES
端子形式 FLAT
端子位置 SINGLE
晶体管元件材料 SILICON
标称过渡频率 (fT) 290 MHz
类别 Diodes
极性 NPN
V(BR)CEO (V) min. 20
IC (A) 3
hFE min 120
hFE max 560
Condition1_VCE (V) 2
Condition1_IC (mA) 100
VCE (sat) (V) 0.5
Condition2_IC (mA) 2000
Condition2_IB (mA) 100
fT (MHz) min. 200
PD (W) max. 0.5
AEC Qualified No
最高工作温度 150
最低工作温度 -55
MSL等级 3
生命周期 Active
是否无铅 Yes
符合Reach Yes
符合RoHS Yes
ECCN代码 EAR99
Package Outlines SOT-89
参数规格与技术文档
Galaxy Microelectronics
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