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2SC2798
晶体管 > 射频双极晶体管

2SC2798

Mitsubishi Electric
RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.49
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
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详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Obsolete
Objectid 1438864394
包装说明 POST/STUD MOUNT, R-CQPM-F4
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.29.00.75
风险等级 9.49
YTEOL 0
外壳连接 ISOLATED
最大集电极电流 (IC) 2 A
集电极-发射极最大电压 35 V
配置 SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 10
最高频带 ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码 R-CQPM-F4
元件数量 1
端子数量 4
最高工作温度 175 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 POST/STUD MOUNT
极性/信道类型 NPN
功耗环境最大值 30 W
最大功率耗散 (Abs) 30 W
最小功率增益 (Gp) 6 dB
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子形式 FLAT
端子位置 QUAD
晶体管应用 AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
Mitsubishi Electric
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