晶体管 > 射频双极晶体管

2SC2798

Mitsubishi Electric

RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN

数据手册:

下载: 2SC2798

ECAD 模型:

市场均价:

-

市场总库存:

-

生命周期状态:

Obsolete

风险等级:

9.49

风险等级:

设计

产品

长期

参数规格设计资源替代料

替代料

全部厂商 96 个替代料
Advanced Semiconductor Inc 8 个替代料
Toshiba America Electronic Components 1 个替代料
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited 3 个替代料
TT Electronics Resistors 4 个替代料
Mitsubishi Electric 11 个替代料
STMicroelectronics 2 个替代料
Texas Instruments 17 个替代料
National Semiconductor Corporation 13 个替代料
Sanken Electric Co Ltd 3 个替代料
Thomson Consumer Electronics 3 个替代料
Great American Electronics 4 个替代料
TRW Inc 8 个替代料
Semiconductors Ltd 4 个替代料
Infineon Technologies AG 3 个替代料
Micro Electronics Corporation 3 个替代料
Diodes Incorporated 1 个替代料
Freescale Semiconductor 1 个替代料
Motorola Semiconductor Products 1 个替代料
Continental Device India Ltd 3 个替代料
Semiconductors Inc 3 个替代料

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