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2SC1946
晶体管 > 射频双极晶体管

2SC1946

Mitsubishi Electric
RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, T-31E, 5 PIN
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.21
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Obsolete
Objectid 1484020637
包装说明 FLANGE MOUNT, R-CDFM-F6
针数 5
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.29.00.75
风险等级 9.21
YTEOL 0
外壳连接 EMITTER
最大集电极电流 (IC) 7 A
集电极-发射极最大电压 17 V
配置 SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 10
最高频带 VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码 R-CDFM-F6
元件数量 1
端子数量 6
最高工作温度 175 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
极性/信道类型 NPN
功耗环境最大值 50 W
最大功率耗散 (Abs) 3 W
最小功率增益 (Gp) 6.7 dB
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子形式 FLAT
端子位置 DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
Mitsubishi Electric
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