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2SA2151O
晶体管 > 功率双极晶体管

2SA2151O

Inchange Semiconductor Company Ltd
Transistor
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Contact Manufacturer
风险等级:
8.47
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
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详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Contact Manufacturer
Objectid 108666413
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 8.47
最大集电极电流 (IC) 15 A
基于收集器的最大容量 450 pF
集电极-发射极最大电压 200 V
配置 SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 50
JESD-30 代码 R-PSFM-T3
元件数量 1
端子数量 3
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
极性/信道类型 PNP
最大功率耗散 (Abs) 160 W
表面贴装 NO
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
晶体管应用 AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON
标称过渡频率 (fT) 20 MHz
VCEsat-Max 0.5 V
参数规格与技术文档
Inchange Semiconductor Company Ltd
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