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2SA1359Y
晶体管 > 功率双极晶体管

2SA1359Y

Toshiba America Electronic Components
TRANSISTOR 3 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.4
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid 2SA1359Y
生命周期 Obsolete
Objectid 1438148532
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code unknown
风险等级 9.4
YTEOL 0
最大集电极电流 (IC) 3 A
集电极-发射极最大电压 40 V
配置 SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 120
JESD-30 代码 R-PSFM-T3
元件数量 1
端子数量 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
极性/信道类型 PNP
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
晶体管应用 AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON
标称过渡频率 (fT) 100 MHz
参数规格与技术文档
Toshiba America Electronic Components
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