参数名称 | 参数值 |
---|---|
是否Rohs认证 | 符合 |
生命周期 | Obsolete |
Objectid | 8327673851 |
零件包装代码 | SOT-323 |
Reach Compliance Code | unknown |
Country Of Origin | Mainland China |
ECCN代码 | EAR99 |
风险等级 | 7.69 |
Samacsys Description | N-Channel 60 V 115mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SOT-323 |
Samacsys Manufacturer | Galaxy |
Samacsys Modified On | 2023-03-07 16:10:32 |
YTEOL | 0 |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 60 V |
最大漏极电流 (ID) | 0.115 A |
最大漏源导通电阻 | 7.5 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss) | 5 pF |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
表面贴装 | YES |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
类别 | Diodes |
Channel Polarity | N |
ESD | N |
Max PD(W) | 0.2 |
Min PD(W) | 60 |
Max VGS (V) | ±20 |
Max ID(A) | 0.115 |
Max IGSS(uA) | ±0.1 |
Max VGS(th) (V) | 2 |
AEC Qualified | NO |
最高工作温度 | 150 |
最低工作温度 | -55 |
MSL等级 | 1 |
生命周期 | Active |
是否无铅 | Yes |
符合Reach | Yes |
符合RoHS | Yes |
ECCN代码 | EAR99 |
Package Outlines | SOT-323 |