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2N6495E3
晶体管 > 功率双极晶体管

2N6495E3

Microsemi FPGA & SoC
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-66, Metal, 2 Pin, METAL CAN-3
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.08
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Obsolete
Objectid 8059220616
包装说明 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
风险等级 9.08
YTEOL 0
最大集电极电流 (IC) 10 A
集电极-发射极最大电压 80 V
最小直流电流增益 (hFE) 10
JEDEC-95代码 TO-66
JESD-30 代码 O-MBFM-P2
端子数量 2
封装主体材料 METAL
封装形状 ROUND
封装形式 FLANGE MOUNT
极性/信道类型 NPN
表面贴装 NO
端子形式 PIN/PEG
端子位置 BOTTOM
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
Microsemi FPGA & SoC
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