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晶体管 > 功率双极晶体管

2N4033

Central Semiconductor Corp
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  • Thomson Csf/Efcis
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, Metal, 3 Pin, TO-39, 3 PIN
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥10.8737
市场总库存:
-
生命周期状态:
Active
风险等级:
6.76
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否无铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Active
Objectid 1448504419
零件包装代码 TO-39
包装说明 TO-39, 3 PIN
针数 3
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.29.00.75
Factory Lead Time 6 weeks
风险等级 6.76
Samacsys Manufacturer Central Semiconductor
Samacsys Modified On 2022-03-13 13:09:25
最大集电极电流 (IC) 1 A
基于收集器的最大容量 20 pF
集电极-发射极最大电压 80 V
配置 SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 25
最大降落时间(tf) 50 ns
JEDEC-95代码 TO-39
JESD-30 代码 O-MBCY-W3
JESD-609代码 e0
元件数量 1
端子数量 3
最高工作温度 200 °C
最低工作温度 -65 °C
封装主体材料 METAL
封装形状 ROUND
封装形式 CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 PNP
功耗环境最大值 1.25 W
最大功率耗散 (Abs) 7 W
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 WIRE
端子位置 BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON
标称过渡频率 (fT) 100 MHz
最大关闭时间(toff) 400 ns
最大开启时间(吨) 100 ns
VCEsat-Max 0.5 V
参数规格与技术文档
全部
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  • 技术文档
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