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晶体管 > 功率双极晶体管

2N3584

Comset Semiconductor
  • Comset Semiconductor
  • Microchip Technology Inc
  • Fairchild Semiconductor Corporation
  • Motorola Semiconductor Products
  • Silicon Transistor Corporation
  • RCA
  • NTE Electronics Inc
  • Motorola Mobility LLC
Transistor
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Contact Manufacturer
风险等级:
8.51
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Contact Manufacturer
Objectid 109318967
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 8.51
外壳连接 COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 2 A
集电极-发射极最大电压 250 V
配置 SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 25
最大降落时间(tf) 3000 ns
JEDEC-95代码 TO-66
JESD-30 代码 O-MBFM-P2
元件数量 1
端子数量 2
最高工作温度 200 °C
封装主体材料 METAL
封装形状 ROUND
封装形式 FLANGE MOUNT
极性/信道类型 NPN
最大功率耗散 (Abs) 35 W
表面贴装 NO
端子形式 PIN/PEG
端子位置 BOTTOM
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
标称过渡频率 (fT) 10 MHz
最大关闭时间(toff) 7000 ns
最大开启时间(吨) 3000 ns
VCEsat-Max 0.75 V
参数规格与技术文档
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  • 技术文档
Comset Semiconductor
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