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晶体管 > 功率双极晶体管

2N3054

Swampscott Electronics Co Inc
  • Swampscott Electronics Co Inc
  • Microchip Technology Inc
  • New Jersey Semiconductor Products, Inc.
  • Motorola Semiconductor Products
  • RCA
  • Solitron Devices Inc
  • Signetics
  • Fairchild Semiconductor Corporation
  • Elm State Electronics Inc
  • National Semiconductor Corporation
  • Central Semiconductor Corp
  • Motorola Mobility LLC
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 2 Pin, TO-66VAR, 2 PIN
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Contact Manufacturer
风险等级:
8.02
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Contact Manufacturer
Objectid 1819525374
零件包装代码 TO-66
包装说明 TO-66VAR, 2 PIN
针数 2
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 8.02
最大集电极电流 (IC) 4 A
集电极-发射极最大电压 60 V
配置 SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 25
JESD-30 代码 O-MBFM-P2
JESD-609代码 e0
元件数量 1
端子数量 2
最高工作温度 200 °C
封装主体材料 METAL
封装形状 ROUND
封装形式 FLANGE MOUNT
极性/信道类型 NPN
最大功率耗散 (Abs) 25 W
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 PIN/PEG
端子位置 BOTTOM
晶体管元件材料 SILICON
标称过渡频率 (fT) 0.03 MHz
参数规格与技术文档
全部
  • 全部
  • 数据手册
  • 技术文档
Swampscott Electronics Co Inc
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